AL36 低噪声放大器采用0.25um GaAs E-pHEMT 工艺制造。在产品应用频段700-3800MHz 内具有可调节有源偏置、低噪声、高增益、高线性度的特点。
F124 产品采用2.0×2.0×0.5mm,8-pinDFN 封装。产品内置有源偏置电路以减小温度以及工艺波动对产品性能产生的影响。
同时产品可以调节偏置电流以适应不同应用环境的要求。
电源电压需通过一个射频扼流圈加至RFOUT/VDD 引脚,射频输入RFIN 端口及射频输出RFOUT/VDD 端口需加隔直电容保证产品正常使用.
AL36 产品在全频段700-3800MHz 范围内使用相同的评估板以及外围匹配结构。