MMIC 低噪声放大器 · GaAs pHEMT

用于宽带射频前端的低噪声放大器

SANLAND 的 GaAs MMIC 低噪声放大器结合了低噪声、高增益和高线性度，适用于紧凑型射频接收器和前端设计。

所列产品组合涵盖蜂窝基础设施、CATV 网络、5 GHz 系统和 ONU 应用，采用紧凑型 DFN 封装和单电源运行。

低噪音

低至 0.30 dB 的 NF

宽带

可选频率最高可达 8.5 GHz

紧凑型集成

DFN封装尺寸最小可达1.5 × 1.5毫米

产品对比

比较低噪声放大器（LNA）规格

比较频率覆盖范围、增益、噪声系数、OIP3、P1dB、电源要求和封装尺寸。

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产品	射频特性			线性		电源和包装
零件编号低噪声放大器 MMIC	频率千兆赫	典型增益 dB	噪声系数 dB	OIP3 分贝米	典型 P1dB 分贝米	供应伏/毫安	包裹
AL34 数据手册 PDF ↗	1.5–2.5 0.1–1.2	18 18	0.55 1	35 35	22 21	5伏 55毫安	DFN 2 × 2，8L
AL36 数据手册 PDF ↗	0.7–3.8	26 @ 850 MHz 21.5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15.7 @ 3600 MHz	0.30 @ 850 MHz 0.40 @ 1850 MHz 0.50 @ 2500 MHz 0.75 @ 3600 MHz	34	21	3–5伏 30–100毫安	DFN 2 × 2，8L
AL37数据手册 PDF ↗	0.7–3.8	26 @ 850 MHz 21.5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15.7 @ 3600 MHz	0.30 @ 850 MHz 0.40 @ 1850 MHz 0.50 @ 2500 MHz 0.75 @ 3600 MHz	34	21	3–5伏 30–100毫安	DFN 2 × 2，8L
AL411数据手册 PDF ↗	0.6–4.2	22	0.65 @ 2.6 GHz 0.7 @ 3.6 GHz	35	19	5伏 65毫安	DFN 2 × 2，8L
AL415 数据手册 PDF ↗	0.6–6	20	0.95 @ 5.5 GHz	34	17	5伏 60毫安	DFN 2 × 2，8L
SL16 数据手册 PDF ↗	0.4–8.5	21	1.8 @ 5 GHz	28	18	5伏 62毫安	DFN 2 × 2，8L
SL18 数据手册 PDF ↗	0.4–8.5	21	1.8 @ 5 GHz	28	18	3.3伏 72毫安	DFN 2 × 2，8L
SL5404数据手册 PDF ↗	4.9–5.9	13	1.2 @ 4.9–5.9 GHz	20	9	3.3伏 13毫安	DFN 1.5 × 1.5，6升

特征

无铅，符合RoHS标准用于符合环保要求的产品集成。

温度稳定性增益在各种工作条件下均能保持稳定的射频性能。

1000V ESD，1C 类定义了设备保护特性。

单供应操作简化电源架构和射频前端集成。

应用程序

01有线电视网络

02蜂窝网络、GSM、UMTS、5 GHz

03联合国

LNA设计重点

SANLAND LNA 选项支持蜂窝、CATV、ONU 和宽带无线系统中的低噪声接收器设计。

比较对象

噪声系数对保持接收机灵敏度至关重要。

获得在后续阶段之前设置前端信号放大。

OIP3 和 P1dB指示线性度和可用射频余量。

供应与包装检查偏置需求和PCB集成限制。

技术与集成

GaAs pHEMT MMIC用于射频接收机级的低噪声半导体平台。

紧凑型DFN适用于高密度射频PCB布局的低剖面封装。

单供应简化偏置和电力系统集成。

宽带选项支持扩展到多GHz射频频段的设计。

MMIC 低噪声放大器

请分享您的频率范围、增益、噪声系数、线性度、电源和封装要求。
我们的射频团队会根据您的设计推荐合适的SANLAND LNA。

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