MMIC 低噪声放大器 · GaAs pHEMT

宽带 RF 前端低噪声放大器

万和科技 GaAs MMIC 低噪声放大器兼具低噪声、高增益和高线性度，适用于紧凑型 RF 接收机及前端设计。

现有产品覆盖蜂窝通信基础设施、CATV 网络、5 GHz 系统和 ONU 应用，并提供紧凑型 DFN 封装及单电源工作方案。

低噪声

噪声系数低至 0.30 dB

宽带覆盖

频率最高可达 8.5 GHz

紧凑集成

DFN 封装最小可达 1.5 × 1.5 mm

产品对比

比较低噪声放大器（LNA）规格

对比频率范围、增益、噪声系数、OIP3、P1dB、供电要求和封装尺寸。

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产品	RF 特性			线性度		供电与封装
型号 MMIC 低噪声放大器	频率 GHz	典型增益 dB	噪声系数 dB	OIP3 dBm	典型 P1dB dBm	供电 V / mA	封装类型
AL34 规格书 PDF ↗	1.5–2.5 0.1–1.2	18 18	0.55 1	35 35	22 21	5 V 55 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL36 规格书 PDF ↗	0.7–3.8	26 @ 850 MHz 21.5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15.7 @ 3600 MHz	0.30 @ 850 MHz 0.40 @ 1850 MHz 0.50 @ 2500 MHz 0.75 @ 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL37规格书 PDF ↗	0.7–3.8	26 @ 850 MHz 21.5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15.7 @ 3600 MHz	0.30 @ 850 MHz 0.40 @ 1850 MHz 0.50 @ 2500 MHz 0.75 @ 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL411规格书 PDF ↗	0.6–4.2	22	0.65 @ 2.6 GHz 0.7 @ 3.6 GHz	35	19	5 V 65 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL415 规格书 PDF ↗	0.6–6	20	0.95 @ 5.5 GHz	34	17	5 V 60 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL16 规格书 PDF ↗	0.4–8.5	21	1.8 @ 5 GHz	28	18	5 V 62 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL18 规格书 PDF ↗	0.4–8.5	21	1.8 @ 5 GHz	28	18	3.3 V 72 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL5404规格书 PDF ↗	4.9–5.9	13	1.2 @ 4.9–5.9 GHz	20	9	3.3 V 13 mA	DFN 1.5 × 1.5, 6L

关键性能

Lead Free, RoHS Compliant便于集成至符合环保要求的产品设计中。

温度范围内增益稳定有助于在不同工作条件下保持稳定的 RF 性能。

1000 V ESD，Class 1C具备明确的器件静电防护等级。

单电源工作简化供电架构及 RF 前端集成。

应用领域

01CATV 网络

02蜂窝通信、GSM、UMTS、5 GHz

03ONU

LNA 设计重点

SANLAND LNA 产品可满足蜂窝通信、CATV、ONU 及宽带无线系统的低噪声接收机设计需求。

选型对比要点

噪声系数保持接收机灵敏度的关键指标。

增益决定信号进入后级电路前的前端放大能力。

OIP3 与 P1dB用于衡量线性度及可用的 RF 功率余量。

供电与封装需结合偏置要求及 PCB 集成空间进行选择。

技术与集成

GaAs pHEMT MMIC适用于 RF 接收级的低噪声半导体平台。

紧凑型 DFN低高度封装，适合高密度 RF PCB 布局。

单电源简化偏置及电源系统集成。

宽带产品选择支持覆盖多个 GHz 频段的 RF 设计。

MMIC 低噪声放大器

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