MMIC 低噪声放大器 · GaAs pHEMT

宽带射频前端低噪声放大器

万和科技 GaAs MMIC 低噪声放大器兼具低噪声、高增益和高线性度，适用于紧凑型射频接收及前端设计。

产品覆盖蜂窝通信基础设施、CATV 网络、5 GHz 系统及 ONU 等应用，采用紧凑型 DFN 封装并支持单电源供电。

低噪声

噪声系数低至 0.3 dB

宽频带

频率覆盖高达 8.5 GHz

紧凑集成

DFN 封装尺寸最小可至 1.5 × 1.5 mm

产品参数对比

低噪声放大器（LNA）参数对比

可根据频率范围、增益、噪声系数、OIP3、P1dB、供电要求及封装尺寸选择合适的低噪声放大器。

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产品	射频性能			线性度		供电与封装
型号低噪声放大器 MMIC	频率 GHz	典型增益 dB	噪声系数 dB	OIP3 dBm	典型 P1dB dBm	供电 V / mA	封装类型
AL34 规格书 PDF ↗	1.5–2.5 0.1–1.2	18 18	0.55 1	35 35	22 21	5 V 55 mA	DFN 2 × 2，8L
AL36 规格书 PDF ↗	0.7–3.8	26 @ 850 MHz 21.5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15.7 @ 3600 MHz	0.30 @ 850 MHz 0.40 @ 1850 MHz 0.50 @ 2500 MHz 0.75 @ 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2，8L
AL37规格书 PDF ↗	0.7–3.8	26 @ 850 MHz 21.5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15.7 @ 3600 MHz	0.30 @ 850 MHz 0.40 @ 1850 MHz 0.50 @ 2500 MHz 0.75 @ 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2，8L
AL411规格书 PDF ↗	0.6–4.2	22	0.65 @ 2.6 GHz 0.7 @ 3.6 GHz	35	19	5 V 65 mA	DFN 2 × 2，8L
AL415 规格书 PDF ↗	0.6–6	20	0.95 @ 5.5 GHz	34	17	5 V 60 mA	DFN 2 × 2，8L
SL16 规格书 PDF ↗	0.4–8.5	21	1.8 @ 5 GHz	28	18	5 V 62 mA	DFN 2 × 2，8L
SL18 规格书 PDF ↗	0.4–8.5	21	1.8 @ 5 GHz	28	18	3.3 V 72 mA	DFN 2 × 2，8L
SL5404规格书 PDF ↗	4.9–5.9	13	1.2 @ 4.9–5.9 GHz	20	9	3.3 V 13 mA	DFN 1.5 × 1.5，6L

关键性能

无铅，符合RoHS标准符合环保及产品集成要求。。

温度范围内增益稳定在不同工作温度条件下保持稳定的射频性能。

1000 V ESD，Class 1C具备明确的器件静电防护等级。

单电源供电简化电源架构和射频前端集成。

应用领域

01CATV 网络

02蜂窝通信、GSM、UMTS、5 GHz系统

03ONU

LNA设计要点

万和科技 LNA 产品适用于蜂窝通信、CATV、ONU 及宽带无线系统，可满足不同射频接收前端对低噪声性能的设计需求。

参数比较

噪声系数直接影响接收机灵敏度，是 LNA 选型的重要指标。

增益决定信号进入后级电路前的前端放大能力。

OIP3 & P1dB用于衡量器件的线性度及射频信号处理余量。

供电与封装结合偏置要求以及 PCB 空间和集成条件进行选择。

技术与集成

GaAs pHEMT MMIC适用于射频接收前端的低噪声 GaAs pHEMT MMIC 技术。

紧凑型 DFN 封装低剖面、小尺寸封装，适合高密度射频 PCB 设计。

单电源供电简化偏置电路及系统电源设计。

宽频带产品支持多 GHz 频段的宽带射频设计。

MMIC 低噪声放大器

请提供您所需的频率范围、增益、噪声系数、线性度、供电及封装要求。
我们的射频技术团队会根据您的设计需求推荐合适的 LNA 产品。

应用评估与 LNA 选型推荐

工程技术支持

根据您的 LNA 设计指标，为您提供针对性的产品选型建议。